普通中走丝，马来西亚国民大学提出了一种基于标准CMOS工艺制造超薄薄膜的方法[11-12]。他们利用SiO2层作为牺牲层来形成绝对压力空腔，氧化层的释放需要利用通道孔让腐蚀剂BOE进入氧化层对其进行腐蚀。

普通中走丝，然后采用LPCVD淀积氮化硅来密封通道孔，从而形成厚度仅为2 μm的传感器薄膜。这种加工技术的优点在于传感器可以单片集成，可以使用集成电路（IC）工艺进行制备。

因此，传感器可以和读取电路、通信系统等集成。同时，淀积形成的仅为0.3 μm的空腔高度可以使传感器获得很大的电容式变化值。

普通中走丝，该传感器的测压范围在10 mmHg～75 mmHg（13～100 kPa)之间，很适宜测量人体内的小量程压力，可用于青光眼的治疗。但由于LPCVD的真空度不高，所以绝压空腔实际上并没有达到真空等级，这会削弱传感器的测试精度。美国ISSYS公司在MEMS器件真空封装方面很出色。该公司致力于高真空度的空腔制作技术，制作的空腔真空度小于10-4 Torr。